回顾今年的手机旗舰机型，众多厂商选择为自家的新一代旗舰产品配备了4GB RAM+128GB ROM内存组合的配置，然而历来走在手机制造业前端的三星公司貌似不仅仅满足于此，而是一直致力于研发更新、更快的UFS 2.0闪存来为用户带来更好的使用体验。

　　在今年2月份的时候，就有传闻显示三星正在制造一款容量高达256GB的UFS 2.0闪存芯片，现在该芯片得详细信息已经于三星官网正式亮相了，那么或许今年晚些时候发布的GALAXY Note 6就将搭载该芯片上市了。

　　从三星官网给出的信息来看，该芯片型号为KLUEG8U1EM-B0B1，封装尺寸为11.5x13x1.2mm（仅比32GB闪存厚了0.2mm），MLC采用双传输信道的G3 2Lane规格，是目前规格最高的USF 2.0闪存。

　　性能方面，三星这款256GB的USF 2.0闪存芯片读/写操作IOPS分别可达45，000、40，000，比上一代UFS闪存快了一倍。此外，得益于串行界面以及全双工运行（可同时读写操作），三星这款UFS 2.0 256GB闪存的持续读、写速度分别可达850MB/s、260MB/s。其读取速度比大多数电脑上的SATA SSD都要快。

　　此外，根据之前的消息，Note 6上的S Pen将在这个道路上再进一步，具备更多的人性化功能。已经曝光的三星专利显示，未来的三星S Pen将具备弯折功能，而借助该功能从机身中取出一半的S Pen经过弯折就可以充当手机支架使用，由此也可以看出Note 6或许将采用尺寸更为巨大的屏幕了。

　　如此看来，为了和自家的S系列形成差异化，Note系列已经开始在寻找解决方案了，不过目前距离Note 6发布理论上还有将近半年的时间，更为详细的信息目前还不清楚，至于Note 6相比上一代又会有哪些改变，我们还是拭目以待三星官方的消息吧。